Засіб неруйнівного контролю структурних перетворень твердофазних систем

Abstract

У роботі теоретично встановлено залежність реактивних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором від радіаційної температури, що дало можливість побудувати модель вимірювального контролю у вигляді передаточної функції метал‐піроелектрик‐напівпровідник, що підвищує точність відновлення сигналів на скінченій дискретній вибірці. Дану залежність покладено в основу роботи засобу неруйнівного контролю структурних перетворень твердофазних систем.

The theoretical dependence reactive properties of transistor structures with negative resistance from radiation temperature is set, enabling to build a model of measuring control in the form of the transfer function of structure metal‐pyroelectric‐semiconductor, which increases the accuracy of signal restoration at finite discrete sample. This dependency is on the basis of non‐destructive device for control structural transformations of solid systems.