Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Modeling of a transistor negatron based on a Schottky-barrier field-effect transistor
Анотація
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Філинюк М. А. Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі [Текст] / М. А. Філинюк, П. А. Молчанов, О. В. Войцеховська // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1997. – № 2. – С. 86-88.