<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі

dc.contributor.authorФілинюк, М. А.uk
dc.contributor.authorМолчанов, П. А.uk
dc.contributor.authorВойцеховська, О. В.uk
dc.date.accessioned2020-12-08T12:14:48Z
dc.date.available2020-12-08T12:14:48Z
dc.date.issued1997
dc.identifier.citationФілинюк М. А. Моделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткі [Текст] / М. А. Філинюк, П. А. Молчанов, О. В. Войцеховська // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1997. – № 2. – С. 86-88.uk
dc.identifier.udc621.317
dc.identifier.udcВимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. № 2 : 86-88.
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/31003
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherТехнологічний університет Поділляuk
dc.titleМоделювання транзисторного негатрона на польовому транзисторі з бар`єром Шотткіuk
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
70214.pdf
Розмір:
144,07 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
129 B
Формат:
Plain Text
Опис: