Радіовимірювальний перетворювач тиску на основі тензочутливих двостокових МДН-транзисторів
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
We have studied the circuit pressure transducer based on field-effect transistors, wherein the pressure transducer acts two drain MOSFET tenzotranzistors. Selfoscillating circuit allows pressure to convert to a frequency output signal, which improves the characteristics of the metrological device. Calculated and analytical expressions for the conversion function and sensitivity functions. Sensitivity of the device is 40-34 kHz/kg/mm2.
Опис
П’єзоелектричні властивості кремнію обумовили його широке розповсюдження при виробництві сенсорів тиску. Кремній володіє високою чутливістю провідності до змін механічного навантаження та доброю відтворюваністю характеристик [1, 2].
Перевагами сенсорів такого типу є: висока чутливість; добра лінійність; незначні гістерезисні явища; малий час спрацьовування; компактна конструкція; економічна планарна технологія виготовлення.
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Осадчук О. В. Радіовимірювальний перетворювач тиску на основі тензочутливих двостокових МДН-транзисторів [Текст] / О. В. Осадчук, В. С. Осадчук, Я. О. Осадчук // Матеріали VI Міжнародної науково-технічної конференції "Датчики, прилади та системи - 2017, присвяченої пам'яті професора Шарапова В. М.,18-22 вересня 2017 р. - Черкаси-Миколаїв-Херсон-Лазурне, 2017. - С. 112-114.