<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Радіовимірювальний перетворювач тиску на основі тензочутливих двостокових МДН-транзисторів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.titleРадіовимірювальний перетворювач тиску на основі тензочутливих двостокових МДН-транзисторівuk
dc.date.issued2017
dc.publisherЧеркаський державний технологічний університетuk
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Радіовимірювальний перетворювач тиску на основі тензочутливих двостокових МДН-транзисторів [Текст] / О. В. Осадчук, В. С. Осадчук, Я. О. Осадчук // Матеріали VI Міжнародної науково-технічної конференції "Датчики, прилади та системи - 2017, присвяченої пам'яті професора Шарапова В. М.,18-22 вересня 2017 р. - Черкаси-Миколаїв-Херсон-Лазурне, 2017. - С. 112-114.uk
dc.relation.ispartofМатеріали VI Міжнародної науково-технічної конференції "Датчики, прилади та системи - 2017, присвяченої пам'яті професора Шарапова В. М.,18-22 вересня 2017 р.uk
dc.identifier.udc621.38
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/18430
dc.description.abstractWe have studied the circuit pressure transducer based on field-effect transistors, wherein the pressure transducer acts two drain MOSFET tenzotranzistors. Selfoscillating circuit allows pressure to convert to a frequency output signal, which improves the characteristics of the metrological device. Calculated and analytical expressions for the conversion function and sensitivity functions. Sensitivity of the device is 40-34 kHz/kg/mm2.uk
dc.descriptionП’єзоелектричні властивості кремнію обумовили його широке розповсюдження при виробництві сенсорів тиску. Кремній володіє високою чутливістю провідності до змін механічного навантаження та доброю відтворюваністю характеристик [1, 2]. Перевагами сенсорів такого типу є: висока чутливість; добра лінійність; незначні гістерезисні явища; малий час спрацьовування; компактна конструкція; економічна планарна технологія виготовлення.uk
dc.subjectpressure transduceren
dc.subjecttwo drain MOSFET tenzotranzistoren
dc.subjectnegative resistanceen
dc.typeThesis
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2017-10-12T21:10:18Z
dc.date.available2017-10-12T21:10:18Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Осадчук_ОВ_ДПС-17_Черкаси.pdf
Розмір:
305,95 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Тези
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
10,07 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС