Тензореактивний ефект у польових транзисторах

Abstract

В статті представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в польових тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які відрізняються від існуючих тим, що в них враховано вплив тиску на активну і реактивну складові повного опору тензочутливих польових транзисторів, які визначають залежність частоти генерації радіовимірювальних частотних перетворювачів від дії тиску. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що активна складова повного опору польового транзистора змінюється на 8,86 Ом/105 Па, а реактивна складова повного опору змінюється на 8,52 Ом/105Па при зміні тиску на 2,5 ·105 Па. Отримані зміни повного опору від дії тиску є достатньо суттєвими для використання польових транзисторів як первинних тензочутливих елементів в радіовимірювальних частотних перетворювачах тиску. В результаті математичного моделювання отримано аналітичні вирази, які можна використати для інженерного розрахунку функції перетворення, рівняння чутливості та інших характеристик радіовимірювальних частотних перетворювачів тиску на основі польових тензочутливих транзисторів.

The article presents the development and research of elements of the theory of the tenzoreactive effect in field tenzo-sensitive transistors. Mathematical models of the tenzoreactive effect have been developed, which differ from the existing ones in that they take into account the effect of pressure on the active and reactive components of the impedance of the tenzo-sensitive field-effect transistors, which determine the dependence of the generation frequency of the radiomeasuring frequency transducers on the effect of pressure. Theoretical and experimental studies showed that the active component of the field-effect transistor impedance changes by 8.86 Ohm/105 Pa, and the reactive component of the impedance changes by 8.52 Ohm/105 Pa with a pressure change of 2.5•105Pa. The obtained changes in the impedance from the action of pressure are significant enough to use field-effect transistors as primary tenzo-sensitive elements in radiomeasuring frequency pressure transducers. As a result of mathematical modeling, analytical expressions are obtained that can be used for the engineering calculation of the conversion function, the sensitivity equation, and other characteristics of the radiomeasuring frequency pressure transducers based on field-effect transistors.