Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу
| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Ільченко, О. М. | uk |
| dc.contributor.author | Барабан, С. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-26T14:36:51Z | |
| dc.date.available | 2016-01-26T14:36:51Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description.abstract | The analysis of photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channel on the basis of the solution of equation of continuity of charge transmitters in the channel of transistor under the influence of light is conducted. It enabled the possibility to calculate in theoretically complete resistance of the channel and obtain analytical dependence of its constituents on power of optical radiation. | en |
| dc.identifier.citation | Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, С. В. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2008. - № 4. - С. 92-98. | uk |
| dc.identifier.issn | 1997-9274 | |
| dc.identifier.issn | 1997-9266 | |
| dc.identifier.udc | 621.383.8 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/5833 | |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Вінницький національний технічний університет | uk |
| dc.relation.uri | http://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/626 | |
| dc.subject | photoreactive effect | en |
| dc.subject | field-effect transistor | en |
| dc.subject | complete resistance | en |
| dc.subject | optical radiation | en |
| dc.title | Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу | uk |
| dc.title.alternative | The photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channel | en |
| dc.type | Article |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1