Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН

Abstract

Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника, в яку додатково введено блок перевірки даних, що дозволить підвищити надійність та радіаційну стійкість цифрових пристроїв зберігання інформації.The state and problems of volatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor. A new block diagram of the device read / write data memory cell based on chalcogenide vitreous semiconductor, which put additional block check data to help increase the reliability and radiation hardness of digital storage devices.