Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
The state and problems of volatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor. A new block diagram of the device read / write data memory cell based on chalcogenide vitreous semiconductor, which put additional block check data to help increase the reliability and radiation hardness of digital storage devices.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Бібліографічний опис
Слободян І. Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН [Електронний ресурс] / І. Слободян // Матеріали XLV Науково-технічної конференції ВНТУ, Вінниця, 23-24 березня 2016 р. - Електрон. текст. дані. - 2016. - Режим доступу : http://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2016/paper/view/91.