Пристрій для програмування елемента пам‘яті на базі ХСН

Abstract

Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника, в яку додатково введено блок перевірки даних, що дозволить підвищити надійність та радіаційну стійкість цифрових пристроїв зберігання інформації.

The state and problems of volatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor. A new block diagram of the device read / write data memory cell based on chalcogenide vitreous semiconductor, which put additional block check data to help increase the reliability and radiation hardness of digital storage devices.