<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

dc.contributor.authorНікешин, Юрій Ігоровичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorНикешин, Юрий Игоревичru
dc.contributor.authorОсадчук, Александр Владимировичru
dc.contributor.authorNikeshyn, Yurii Ihorovychen
dc.contributor.authorOsadchuk, Oleksandr Volodymyrovychen
dc.titleМікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опоруuk
dc.title.alternativeМикроэлектронное четырехзондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивленияru
dc.title.alternativeMICROELECTRONIC FOUR-PROBE DEVICE FOR MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR RESISTANCEen
dc.date.issued2013-01-10
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.identifier.citationПат. 76387 UA, МПК H01L 21/66, G01R 31/26. Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору [Текст] / Ю. І. Нікешин, О. В. Осадчук (Україна). - № u201203166 ; заявл. 19.03.2012 ; опубл. 10.01.2013, Бюл. № 1. - 4 с. : кресл.uk
dc.identifier76387
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/229
dc.description.abstractМікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення. Введено чотири зонди. Другий та третій з'єднані з біполярним транзистором. Перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення.uk
dc.description.abstractМикроэлектронное четырехзондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления содержит катушку индуктивности, подключенную к источнику питания. Введены четыре зонда. Второй и третий соединены с биполярным транзистором. Первый и четвертый соединены с первым источником питания.ru
dc.description.abstractA microelectronic four-probe device for measuring semiconductor resistance comprises an inductance coil connected to a power source. Four probes are introduced. The second and third probes are connected to a bipolar transistor. The first and fourth probes are connected to the first power source.en
dc.subjectH01L 21/66
dc.subjectG01R 31/26
dc.subjectвимірювання напівпровідникового опоруuk
dc.subjectмікроелектронний чотиризондовий пристрійuk
dc.subjectвимірювальна технікаuk
dc.subjectконтроль якості матеріалівuk
dc.subjectнапівпровідниковий матеріалuk
dc.typeOther
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2015-02-03T13:29:24Z
dc.date.available2015-02-03T13:29:24Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
76387.pdf
Розмір:
191,81 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1,71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: