Мікроелектронний сенсор магнітного поля

Abstract

Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми. Введені двозатворний МОН-транзистор, індуктивність та ємність. Як двостоковий магніточутливий МОН-транзистор використано двостоковий двозатворний магніточутливий МОН-транзистор.Микроэлектронный сенсор магнитного поля, который содержит двухстоковый магниточувствительный МОП-транзистор, источник постоянного напряжения, два резистора, общую шину и две выходных клеммы. Введены двухзатворный МОП-транзистор, индуктивность и емкость. В качестве двухстокового магниточувствительного МОП-транзистора использован двухстоковый двухзатворный магниточувствительный МОП-транзистор.A microelectronic magnetic field sensor comprises a two-drain magnetic field sensitive MOS-transistor, a DC power supply, two resistors, a common bus and two output terminals. A dual-gate MOS-transistor, an inductance and a capacitor are introduced. The two-drain duel-gate magnetic field sensitive MOS-transistor is used as duel-drain magnetic field sensitive MOS transistor.