• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний сенсор магнітного поля

Автор
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Білилівська, Ольга Петрівна
Ющенко, Юрій Андрійович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Билиливская, Ольга Петровна
Ющенко, Юрий Андреевич
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Bilylivska, Olha Petrivna
Yuschenko, Yurii Andriiovych
Дата
2012-06-25
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [678]
Анотації
Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми. Введені двозатворний МОН-транзистор, індуктивність та ємність. Як двостоковий магніточутливий МОН-транзистор використано двостоковий двозатворний магніточутливий МОН-транзистор.
 
Микроэлектронный сенсор магнитного поля, который содержит двухстоковый магниточувствительный МОП-транзистор, источник постоянного напряжения, два резистора, общую шину и две выходных клеммы. Введены двухзатворный МОП-транзистор, индуктивность и емкость. В качестве двухстокового магниточувствительного МОП-транзистора использован двухстоковый двухзатворный магниточувствительный МОП-транзистор.
 
A microelectronic magnetic field sensor comprises a two-drain magnetic field sensitive MOS-transistor, a DC power supply, two resistors, a common bus and two output terminals. A dual-gate MOS-transistor, an inductance and a capacitor are introduced. The two-drain duel-gate magnetic field sensitive MOS-transistor is used as duel-drain magnetic field sensitive MOS transistor.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/492
Відкрити
70968.pdf (212.1Kb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ