Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS.
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
In this paper the thermal –field measurements for evaluating the parameters of the memory cell (MC) based on amorphous semiconductor (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical conductivity of memory cell.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Kychak V. M. Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS [Text] / V. M. Kychak, I. V. Slobodyan // Proceeding of the XI-th International Conference "Modern problems of radio engineering , telecommunication and computer science (TCSET`2012), Ukraine, Lviv- Slavske, February 21-24, 2012. – 2012. – P. 153-154.