Математична модель комірки пам’яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників

Abstract

Показано, що вирази, які використовуються для визначення статичної електропровідності та її залежності від температури для випадку, коли переміщення носіїв заряду проходить по локалізованих станах, не дають можливості описати ВАХ елементів пам’яті на базі ХСН. Отримано вираз для ВАХ для випадку, коли провідність буде обумовлена стрибками між локалізованими станами аналогічно тому, як це має місце в сильнолегованих кристалевих напівпровідниках при домішковій провідності. Досліджені типові точки ВАХ комірки пам’яті на базі ХСН.

It is shown, that expressions, which used for determination of static electro-conductivity and its depending on temperature for case when travel of carriers of charge take place on localized states, keep from describe real volt-ampere characteristic of memory elements based on chalcogenide glassy semiconductor. It is obtained the expression for volt-ampere characteristic for case when conductivity condition on great advance between localized states, similarly to processes in much alloyed crystalline semiconductors for case of doped conductivity. The extremums of volt-ampere characteristic of the memory cell based on chalcogenide glassy semiconductor is investigated.