<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Development of the construction sketch of N-channel MOS-phototransistor with bilateral illumination of channel and operation card of its making

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.en
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.en
dc.contributor.authorZhahlovska, O. M.en
dc.contributor.authorLuganskaya, S.en
dc.contributor.authorKociubiński, A.en
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorЖагловська, О. М.uk
dc.titleDevelopment of the construction sketch of N-channel MOS-phototransistor with bilateral illumination of channel and operation card of its makingen
dc.date.issued2018
dc.publisherSociety of Photo-Optical Instrumentation Engineersen
dc.identifier.citationDevelopment of the construction sketch of N-channel MOS-phototransistor with bilateral illumination of channel and operation card of its making [Electronic resource] / V. S. Osadchuk, O. V. Osadchuk, O. M. Zhahlovska [etc.] // Proc. SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments 2018,1 October 2018. – Poland, 2018. – Vol. 10808/ – № 108080R. – Access mode: https://doi.org/10.1117/12.2501552.en
dc.identifier.citationOsadchuk V. S., Osadchuk O. V., Zhahlovska O. M., Luganskaya S., Kociubiński A. Development of the construction sketch of N-channel MOS-phototransistor with bilateral illumination of channel and operation card of its making. Proc. SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments 2018, Vol. 10808, № 108080R, 1 October 2018. Poland, 2018. URI: https://doi.org/10.1117/12.2501552.en
dc.relation.ispartofProc. SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments 2018, Vol. 10808, № 108080R, 1 October 2018.en
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1117/12.2501552
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.1117/12.2501552
dc.identifier.issn0277-786X
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34016
dc.description.abstractУ статті розглянуто фізичний механізм взаємодії оптичного випромінювання з напівпровідниковими приладами, технологічний маршрут виготовлення МОН-фототранзистора з двобічним освітленням каналу. Також розглянуто оптичний перетворювач з частотним виходом на основі структури біполярно-польових транзисторів з від'ємним опором та МОН-транзистора з двобічним освітленням каналу, який є фоточутливим елементом. Розроблено математичну модель радіовимірювального оптичного перетворювача.uk
dc.description.abstractIn the article the physical mechanism of optical radiation co-operation with semiconductor devices, technological route of making of MOS - phototransistor with bilateral illumination of channel has been considered. Also the optical transducer with frequency output based on the structure of the bipolar-field transistors with negative resistance and MOSFET with bilateral illumination of channel that is a photosensitive element has been considered. A mathematical model of the radio measuring optical transducer has been developed.en
dc.subjectfrequency optical transduceren
dc.subjectphototransistoren
dc.subjectnegative resistanceen
dc.subjectчастотний оптичний перетворювачuk
dc.subjectфототранзисторuk
dc.subjectвід’ємний опірuk
dc.typeArticle
dc.language.isoenen
dc.date.accessioned2021-11-15T11:05:33Z
dc.date.available2021-11-15T11:05:33Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
89371.pdf
Розмір:
835,06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
129 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС