<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Temperature transducer based on metal-pyroelectric-semiconductor structure with negative differential resistance

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Науковий керівник

Редактор

Інші учасники

Відповідальний

ORCID

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Альтернативна назва

Анотація

У роботі проаналізовано сучасний стан розвитку температурних перетворювачів на основі піроелектриків, представлено й описано новий температурний перетворювач на основі транзисторної структури з від'ємним диференціальним опором, змодельовано вольт-амперну та частотну характеристики цього пристрою в програмному середовищі Pspice.
The paper analyses modern development status of temperature transducer on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature transducer on the basis of transistor structure with negative differential resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.

Опис

УДК

Тип документа

Мова

ISSN

Посилання на публікацію

Серія, номер

ISBN

ББК

Інші ідентифікатори

Пов’язані матеріали

Спонсорська підтримка

Правовласник

Бібліографічний опис

Temperature transducer based on metal-pyroelectric-semiconductor structure with negative differential resistance [Electronic resource] / A. V. Osadchuk, V. S. Osadchuk, S. V. Baraban [et al.] // Proceedings of SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments 2018, Vol. 10808, № 108085D, 1 October 2018. – Poland, 2018. – Access mode: https://doi.org/10.1117/12.2501625.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в