<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Temperature transducer based on metal-pyroelectric-semiconductor structure with negative differential resistance

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.en
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.en
dc.contributor.authorBaraban, S. V.en
dc.contributor.authorZyska, T.en
dc.contributor.authorZhanpeisova, A.en
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorБарабан, С. В.uk
dc.titleTemperature transducer based on metal-pyroelectric-semiconductor structure with negative differential resistanceen
dc.date.issued2018
dc.publisherSociety of Photo-Optical Instrumentation Engineersen
dc.identifier.citationTemperature transducer based on metal-pyroelectric-semiconductor structure with negative differential resistance [Electronic resource] / A. V. Osadchuk, V. S. Osadchuk, S. V. Baraban [et al.] // Proceedings of SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments 2018, Vol. 10808, № 108085D, 1 October 2018. – Poland, 2018. – Access mode: https://doi.org/10.1117/12.2501625.en
dc.relation.ispartofProceedings of SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments 2018, Vol. 10808, № 108085D, 1 October 2018en
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1117/12.2501625
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.1117/12.2501625
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34059
dc.description.abstractУ роботі проаналізовано сучасний стан розвитку температурних перетворювачів на основі піроелектриків, представлено й описано новий температурний перетворювач на основі транзисторної структури з від'ємним диференціальним опором, змодельовано вольт-амперну та частотну характеристики цього пристрою в програмному середовищі Pspice.uk
dc.description.abstractThe paper analyses modern development status of temperature transducer on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature transducer on the basis of transistor structure with negative differential resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.en
dc.subjectmetal-pyroelectric-semiconductor structureen
dc.subjectpiroelectricen
dc.subjecttemperature transduceren
dc.subjecttransistor structure with negative differential resistanceen
dc.subjectemanation power transducer sensoren
dc.subjectpiroelectric detectoren
dc.subjectструктура метал-піроелектрик-напівпровідникuk
dc.subjectпіроелектрикuk
dc.subjectтемпературний перетворювачuk
dc.subjectтранзисторна структура з від’ємним диференційним опоромuk
dc.subjectсенсор-перетворювач потужності випромінюванняuk
dc.subjectпіроелектричний детекторuk
dc.typeArticle
dc.language.isoenen
dc.date.accessioned2021-11-16T08:45:21Z
dc.date.available2021-11-16T08:45:21Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
89364.pdf
Розмір:
345,22 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
129 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС