Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників

Abstract

Радіаційна стійкість є критично важливою вимогою для радіотехнічних пристроїв та телекомунікаційного обладнання, що експлуатуються в космічних, ядерних та інших середовищах з високим рівнем радіації. Протягом останніх двох десятиліть аморфні напівпровідники привертають все більшу увагу як альтернатива традиційним кристалічним матеріалам завдяки своїй вродженій стійкості до структурної деградації, спричиненої радіацією. У цих матеріалах представлено огляд сучасного стану радіочастотних і телекомунікаційних пристроїв, стійких до радіації, на основі аморфних напівпровідників, з особливим акцентом на технологіях аморфних оксидних напівпровідників. У огляді узагальнено властивості матеріалів, механізми реакції на радіацію, реалізації на рівні пристроїв та сфери застосування, що дає уявлення про сучасні досягнення, обмеження та напрямки майбутніх досліджень.Radiation tolerance is a critical requirement for radio engineering devices and telecommunication equipment operating in space, nuclear, and other high-radiation environments. Over the past two decades, amorphous semiconductors have attracted increasing attention as an alternative to conventional crystalline materials due to their inherent resistance to radiation-induced structural degradation. This paper presents a state-of-the-art review of radiationresistant radio-frequency and telecommunication devices based on amorphous semiconductors, with a particular focus on amorphous oxide semiconductor technologies. The review synthesizes reported material properties, radiation response mechanisms, device-level implementations, and application domains, providing a consolidated perspective on current achievements, limitations, and future research directions.