Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
DOI
Анотація
Radiation tolerance is a critical requirement for radio engineering devices and telecommunication equipment operating in space, nuclear, and other high-radiation environments. Over the past two decades, amorphous semiconductors have attracted increasing attention as an alternative to conventional crystalline materials due to their inherent resistance to radiation-induced structural degradation. This paper presents a state-of-the-art review of radiationresistant radio-frequency and telecommunication devices based on amorphous semiconductors, with a particular focus on amorphous oxide semiconductor technologies. The review synthesizes reported material properties, radiation response mechanisms, device-level implementations, and application domains, providing a consolidated perspective on current achievements, limitations, and future research directions.
Опис
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Барабан І. О. Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників // Матеріали LV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2026/paper/view/27371.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (14)
- Fishchuk I. I. Determination of energy disorder value in amorphous oxide semiconductors // Nuclear Physics and Atomic Energy. – 2024. – Т. 25, № 2. – С. 134–142.
- Huang C.-Y. The effect of gamma irradiation on the stability of amorphous InGaZnO metal– semiconductor–metal UV photodetectors // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2020. – Vol. 533. – Article 119941.
- Duan Z., Zhao X., Han J., Wang P. Mo–S–Pb–Ti amorphous films: Achieving exceptional irradiation tolerance and enhanced wear resistance // Applied Surface Science. – 2025. – Vol. 666. – Article 160960.
- Kang D., Jeon S., Ju E. C., Park S. K. Highly stable amorphous metal oxide thin-film transistors for in situ X-ray tolerant electronics // ACS Applied Materials & Interfaces. – 2025. – Vol. 17, No. 4. – P. 5123– 5132.
- Park B., Ho D., Kwon G., Kim M.-G. Solution-processed rad-hard amorphous metal-oxide thin-film transistors // Advanced Functional Materials. – 2018. – Vol. 28, No. 25. – Article 1800479.
- Zalte M. B., Kumar V., Surya S. G., Baghini M. S. A solution-processed amorphous InGaZnO thinfilm transistor-based dosimeter for gamma-ray detection and its reliability // IEEE Sensors Journal. – 2021. – Vol. 21, No. 18. – P. 20538–20545.
- Itoh H. Present status and prospects of R&D of radiation-resistant semiconductor devices at JAEA // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. – 2013. – Vol. 8773. – Article 87730B.
- Muhammad Z., Wang Y., Zhang Y., Zhao W. Radiation-tolerant electronic devices using wide bandgap semiconductors // Advanced Materials Technologies. – 2023. – Vol. 8, No. 9. – Article 2300275.
- Wang J., Mulligan P., Brillson L., Cao L. R. Review of using gallium nitride for ionizing radiation detection // Applied Physics Reviews. – 2015. – Vol. 2, No. 3. – Article 031102.
- Jeong H.-J., Lee H.-M., Oh K.-T., Park J.-S. Enhancement of In–Sn–Ga–O TFT performance by the synergistic combination of UV + O radiation and low-temperature annealing // Journal of Electroceramics. – 2016. – Vol. 37, No. 2–4. – P. 138–145.