Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників

Baraban, I. O.

Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників

dc.contributor.author	Baraban, I. O.	en
dc.date.accessioned	2026-09-24T08:56:31Z
dc.date.available	2026-09-24T08:56:31Z
dc.date.issued	2026
dc.description.abstract	Radiation tolerance is a critical requirement for radio engineering devices and telecommunication equipment operating in space, nuclear, and other high-radiation environments. Over the past two decades, amorphous semiconductors have attracted increasing attention as an alternative to conventional crystalline materials due to their inherent resistance to radiation-induced structural degradation. This paper presents a state-of-the-art review of radiationresistant radio-frequency and telecommunication devices based on amorphous semiconductors, with a particular focus on amorphous oxide semiconductor technologies. The review synthesizes reported material properties, radiation response mechanisms, device-level implementations, and application domains, providing a consolidated perspective on current achievements, limitations, and future research directions.	en
dc.identifier.citation	Барабан І. О. Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників // Матеріали LV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2026/paper/view/27371.	uk
dc.identifier.udc	621.396:621.382:621.039.58
dc.identifier.uri	https://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/54713
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	ВНТУ	uk
dc.relation.ispartof	Матеріали LV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026.	uk
dc.relation.references	Fishchuk I. I. Determination of energy disorder value in amorphous oxide semiconductors // Nuclear Physics and Atomic Energy. – 2024. – Т. 25, № 2. – С. 134–142.	en
dc.relation.references	Huang C.-Y. The effect of gamma irradiation on the stability of amorphous InGaZnO metal– semiconductor–metal UV photodetectors // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2020. – Vol. 533. – Article 119941.	en
dc.relation.references	Duan Z., Zhao X., Han J., Wang P. Mo–S–Pb–Ti amorphous films: Achieving exceptional irradiation tolerance and enhanced wear resistance // Applied Surface Science. – 2025. – Vol. 666. – Article 160960.	en
dc.relation.references	Kang D., Jeon S., Ju E. C., Park S. K. Highly stable amorphous metal oxide thin-film transistors for in situ X-ray tolerant electronics // ACS Applied Materials & Interfaces. – 2025. – Vol. 17, No. 4. – P. 5123– 5132.	en
dc.relation.references	Park B., Ho D., Kwon G., Kim M.-G. Solution-processed rad-hard amorphous metal-oxide thin-film transistors // Advanced Functional Materials. – 2018. – Vol. 28, No. 25. – Article 1800479.	en
dc.relation.references	Zalte M. B., Kumar V., Surya S. G., Baghini M. S. A solution-processed amorphous InGaZnO thinfilm transistor-based dosimeter for gamma-ray detection and its reliability // IEEE Sensors Journal. – 2021. – Vol. 21, No. 18. – P. 20538–20545.	en
dc.relation.references	Itoh H. Present status and prospects of R&D of radiation-resistant semiconductor devices at JAEA // Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering. – 2013. – Vol. 8773. – Article 87730B.	en
dc.relation.references	Muhammad Z., Wang Y., Zhang Y., Zhao W. Radiation-tolerant electronic devices using wide bandgap semiconductors // Advanced Materials Technologies. – 2023. – Vol. 8, No. 9. – Article 2300275.	en
dc.relation.references	Wang J., Mulligan P., Brillson L., Cao L. R. Review of using gallium nitride for ionizing radiation detection // Applied Physics Reviews. – 2015. – Vol. 2, No. 3. – Article 031102.	en
dc.relation.references	Jeong H.-J., Lee H.-M., Oh K.-T., Park J.-S. Enhancement of In–Sn–Ga–O TFT performance by the synergistic combination of UV + O radiation and low-temperature annealing // Journal of Electroceramics. – 2016. – Vol. 37, No. 2–4. – P. 138–145.	en
dc.relation.references	Kim J., Kim S., Kim H., Kim C. Enhancing AC stress stability in amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors via controlled hydrogen diffusion // Journal of Materials Chemistry C. – 2025. – Vol.	en
dc.relation.references	Early Access.	en
dc.relation.references	Kamiya T., Hosono H. Amorphous In–Ga–Zn–O thin film transistors: Fabrication and properties // Handbook of Zinc Oxide and Related Materials. Volume Two: Devices and Nano-Engineering. – Boca Raton : CRC Press, 2012. – P. 207–234.	en
dc.relation.references	Wang X.-L., Zhao H.-L., Lee B., Kim S.-J. Improved performance and bias stability in TFTs with solution-processed graphene oxide-doped InO active layers treated under deep UV irradiation // Journal of	en
dc.relation.uri	https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2026/paper/view/27371
dc.subject	radiation-resistant electronics	en
dc.subject	radio engineering devices	en
dc.subject	telecommunication equipment	en
dc.subject	amorphoussemiconductors	en
dc.subject	amorphous oxide semiconductors	en
dc.subject	radiation effects	en
dc.subject	thin-film transistors	en
dc.subject	high-reliability communication systems	en
dc.title	Радіаційно-стійкі радіотехнічні та телекомунікаційні пристрої на основі аморфних напівпровідників	uk
dc.type	Thesis

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: 27371.pdf
Розмір:: 425,57 KB
Формат:: Adobe Portable Document Format

Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: license.txt
Розмір:: 17 B
Формат:: Plain Text
Опис:

Завантажити

Зібрання

НТКП ВНТУ. Факультет інформаційних електронних систем (2026)