Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастотних шумів
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Assessing the quality of integrated transistors using low-frequency noise
Анотація
В роботі проведено аналіз виразу для шумової моделі транзистора який показує, що найбільший рівень шумів має місце в інверсному режимі інтегрального транзистора. Для активного режиму паразитний опір вносить тільки тепловий шум, рівень якого у широкому діапазоні частот залишається сталим. Якість транзисторів залежить від рівня шумової напруги. Якщо рівень виміряної шумової напруги для транзистора на два і більше порядків більший рівня отриманого за розрахунками, то це вказує на потенційну ненадійність виробу.
Опис
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Кичак В. М. Оцінка якості інтегральних транзисторів за допомогою низькочастоних шумів [Текст] / В. М. Кичак, Д. В. Михалевський, В. В.Стронський // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процессах. - 2005. - № 2. - С. 177-181.