The UHF oscillators based on a HEMT structure with negative conductivity
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
The article considers a possibility of constructing microwave oscillators on a transistor structure with negative conductivity based on two HEМТ. Obtained non-linear equations
can be used to model microwave oscillator parameters and characteristics with an error not more than 10%.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
978-1-4799-7103-9/15
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Osadchuk, O. V. The UHF oscillators based on a HEMT structure with negative conductivity [Electronic resource] / O. V. Osadchuk, A. O. Semenov, O. O. Semenova // Proceedings of the International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Omsk, May 21−23, 2015. – Omsk : Siberian Federal University. 2015. - Access mode : http://ieeexplore.ieee.org/document/7147168.