Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Multicomponent ohmic contacts to GaAs
Многокомпонентные омические контакты к GaAs
Многокомпонентные омические контакты к GaAs
Анотація
У статті наведені результати дослідження впливу попередньої обробки напівпровідникової пластини, режимів нанесення та термообробки контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs на питомий перехідний опір.
The paper contains the results of the study of semiconductor wafer preprocessing, application and heat treatment modes of Ag-GE-In/n-n Ga As contacts impact on specific transient resistance.
В статье приведены результаты исследования влияния предварительной обработки полупроводниковой пластины, режимов нанесения и термообработки контактов Ag-Ge-In/n-n+GaAs на удельное переходное сопротивление.
The paper contains the results of the study of semiconductor wafer preprocessing, application and heat treatment modes of Ag-GE-In/n-n Ga As contacts impact on specific transient resistance.
В статье приведены результаты исследования влияния предварительной обработки полупроводниковой пластины, режимов нанесения и термообработки контактов Ag-Ge-In/n-n+GaAs на удельное переходное сопротивление.
Опис
Ключові слова
арсенід галію , потрійний сплав , вакуумне напилення , термообробка , питомий опір , омічний контакт , gallium-arsenide , ternary alloy , vacuum deposition , heat treatment , specific resistance , ohmic contact , арсенид галлия , тройной сплав , вакуумное напыление , термообработка , удельное сопротивление , омический контакт
УДК
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Дмитрієв В. С. Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Наукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517/508.
Зібрання
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (18)
- Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей [Електронний ресурс] / С. В. Платонов, Н. В. Пермяков, Б. И. Селезнев [и др.] // Вестник Новгородского государственного университета. – 2012. – № 67. – С. 29 – 32. – Режим доступу до ресурсу: http://www.novsu.ru/file/1010219.
- Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken : A John Wiley & Sons, Inc., 2007. – 815 р.
- Ti/Pd/Ag Contacts to n-Type GaAs for High Current Density Devices [Електронний ресурс] / P. Huo, I. Rey-Stolle // Journal of Electronic Materials. – 2016. – Vol. 45, № 6. – P. 2769 – 2775. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4432-6.
- Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura, M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.
- Christou A. Solid phase formation in Au: Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au: Ge GaAs ohmic contact systems / A. Christou // Solid-State Electronics. – 1979. – Vol. 22, № 2. – P. 141 – 149.
- Дмитриев В. С. Влияние межфазной границы раздела на параметры омического контакта / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева // Материали за X международна научна практична конференция «Настоящи изследвания и развитие - 2014» / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева. – София : «Бял ГРАД-БГ» ООД. – 2014. – Т. 28. – С. 79 – 82. – (ISBN 978-966-8736-05-6).
- Thermal stability of Ag films in air prepared by thermal evaporation / L. Jing, L. Fachun, L. Limei [and al.] // Applied Surface Science. – 2007. – Vol. 253, № 17. – P. 7036 – 7040.
- Sugawara K. Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films / K. Sugawara, M. Kawamura, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2007. – Vol. 84, № 11. – P. 2476 – 2480.
- Вартанян Т. А. Отложенное действие освещения на релаксацию гранулированной серебряной пленки при термическом отжиге / Т. А. Вартанян, Н. Б. Леонов, С. Г. Пржибельский // Оптический журнал. – 2013. – Т. 80, № 2. – С. 24 – 28.
- Electrical and structural investigations of Ag-based Ohmic contacts for InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors [Електронний ресурс] / W. Zhao, L. Wang, I. Adesida // Applied Physics Letters. – 2006. – Vol. 89, № 7. – P. 072105–1–072105–3. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1063/1.2337102.