<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs

Ескіз

Файли

517-Текст статті-574-4-10-20171128.pdf (414,75 KB)

Дата

2017

Автори

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Вінницький національний технічний університет

DOI

Анотація

The paper contains the results of the study of semiconductor wafer preprocessing, application and heat treatment modes of Ag-GE-In/n-n Ga As contacts impact on specific transient resistance.

Опис

Ключові слова

gallium-arsenide , ternary alloy , vacuum deposition , heat treatment , specific resistance , ohmic contact

УДК

621.382.2/3

Тип документа

Article

Мова

uk_UA

Є частиною

Наукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3.

ISSN

2307-5376

Бібліографічний опис

Дмитрієв В. С. Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Наукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517/508.

URI

http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/26687

Зібрання

Наукові праці ВНТУ. 2017. № 3

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в

Список використаної літератури (9)

  1. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken : A John Wiley & Sons, Inc., 2007. – 815 р.
  2. Ti/Pd/Ag Contacts to n-Type GaAs for High Current Density Devices [Електронний ресурс] / P. Huo, I. Rey-Stolle // Journal of Electronic Materials. – 2016. – Vol. 45, № 6. – P. 2769 – 2775. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4432-6.
  3. Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura, M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.
  4. Christou A. Solid phase formation in Au: Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au: Ge GaAs ohmic contact systems / A. Christou // Solid-State Electronics. – 1979. – Vol. 22, № 2. – P. 141 – 149.
  5. Thermal stability of Ag films in air prepared by thermal evaporation / L. Jing, L. Fachun, L. Limei [and al.] // Applied Surface Science. – 2007. – Vol. 253, № 17. – P. 7036 – 7040.
  6. Sugawara K. Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films / K. Sugawara, M. Kawamura, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2007. – Vol. 84, № 11. – P. 2476 – 2480.
  7. Electrical and structural investigations of Ag-based Ohmic contacts for InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors [Електронний ресурс] / W. Zhao, L. Wang, I. Adesida // Applied Physics Letters. – 2006. – Vol. 89, № 7. – P. 072105–1–072105–3. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1063/1.2337102.
  8. Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura, M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.
  9. Kim H. C. Improvement of the thermal stability of silver metallization / H. C. Kim, T. L. Alford // Journal of Applied Physics. – 2003. – Vol. 94, № 8. – Р. 5393 – 5395.