<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДмитрієв, В. С.uk
dc.contributor.authorDmitriev, V.en
dc.contributor.authorДмитриев, В. С.ru
dc.titleБагатокомпонентні омічні контакти до GaAsuk
dc.title.alternativeMulticomponent ohmic contacts to GaAsen
dc.title.alternativeМногокомпонентные омические контакты к GaAsru
dc.date.issued2017
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationДмитрієв В. С. Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Наукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517/508.uk
dc.relation.ispartofНаукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3.uk
dc.relation.urihttps://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517
dc.identifier.issn2307-5376
dc.identifier.udc621.382.2/3
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/26687
dc.description.abstractУ статті наведені результати дослідження впливу попередньої обробки напівпровідникової пластини, режимів нанесення та термообробки контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs на питомий перехідний опір.uk
dc.description.abstractThe paper contains the results of the study of semiconductor wafer preprocessing, application and heat treatment modes of Ag-GE-In/n-n Ga As contacts impact on specific transient resistance.en
dc.description.abstractВ статье приведены результаты исследования влияния предварительной обработки полупроводниковой пластины, режимов нанесения и термообработки контактов Ag-Ge-In/n-n+GaAs на удельное переходное сопротивление.ru
dc.subjectарсенід галіюuk
dc.subjectпотрійний сплавuk
dc.subjectвакуумне напиленняuk
dc.subjectтермообробкаuk
dc.subjectпитомий опірuk
dc.subjectомічний контактuk
dc.subjectgallium-arsenideen
dc.subjectternary alloyen
dc.subjectvacuum depositionen
dc.subjectheat treatmenten
dc.subjectspecific resistanceen
dc.subjectohmic contacten
dc.subjectарсенид галлияru
dc.subjectтройной сплавru
dc.subjectвакуумное напылениеru
dc.subjectтермообработкаru
dc.subjectудельное сопротивлениеru
dc.subjectомический контактru
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.relation.referencesМалошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей [Електронний ресурс] / С. В. Платонов, Н. В. Пермяков, Б. И. Селезнев [и др.] // Вестник Новгородского государственного университета. – 2012. – № 67. – С. 29 – 32. – Режим доступу до ресурсу: http://www.novsu.ru/file/1010219.ru
dc.relation.referencesSze S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken : A John Wiley & Sons, Inc., 2007. – 815 р.en
dc.relation.referencesTi/Pd/Ag Contacts to n-Type GaAs for High Current Density Devices [Електронний ресурс] / P. Huo, I. Rey-Stolle // Journal of Electronic Materials. – 2016. – Vol. 45, № 6. – P. 2769 – 2775. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4432-6.en
dc.relation.referencesKawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura, M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.en
dc.relation.referencesChristou A. Solid phase formation in Au: Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au: Ge GaAs ohmic contact systems / A. Christou // Solid-State Electronics. – 1979. – Vol. 22, № 2. – P. 141 – 149.en
dc.relation.referencesДмитриев В. С. Влияние межфазной границы раздела на параметры омического контакта / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева // Материали за X международна научна практична конференция «Настоящи изследвания и развитие - 2014» / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева. – София : «Бял ГРАД-БГ» ООД. – 2014. – Т. 28. – С. 79 – 82. – (ISBN 978-966-8736-05-6).ru
dc.relation.referencesThermal stability of Ag films in air prepared by thermal evaporation / L. Jing, L. Fachun, L. Limei [and al.] // Applied Surface Science. – 2007. – Vol. 253, № 17. – P. 7036 – 7040.en
dc.relation.referencesSugawara K. Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films / K. Sugawara, M. Kawamura, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2007. – Vol. 84, № 11. – P. 2476 – 2480.en
dc.relation.referencesВартанян Т. А. Отложенное действие освещения на релаксацию гранулированной серебряной пленки при термическом отжиге / Т. А. Вартанян, Н. Б. Леонов, С. Г. Пржибельский // Оптический журнал. – 2013. – Т. 80, № 2. – С. 24 – 28.ru
dc.relation.referencesElectrical and structural investigations of Ag-based Ohmic contacts for InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors [Електронний ресурс] / W. Zhao, L. Wang, I. Adesida // Applied Physics Letters. – 2006. – Vol. 89, № 7. – P. 072105–1–072105–3. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1063/1.2337102.en
dc.relation.referencesKawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura, M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.en
dc.relation.referencesKim H. C. Improvement of the thermal stability of silver metallization / H. C. Kim, T. L. Alford // Journal of Applied Physics. – 2003. – Vol. 94, № 8. – Р. 5393 – 5395.en
dc.relation.referencesМаркин Б. В. Влияние химической обработки на состав поверхности GaAs / Б. В. Маркин, В. В. Чикун // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. – 1990. – № 4. – С. 19.ru
dc.relation.referencesФизико-химические методы обработки поверхности полупроводников / [Б. Д. Луфт, В. А. Перевощиков, Н. М. Возмилова и др.]. – М. : Радио и связь, 1982. – 136 с.ru
dc.relation.referencesПат. 2319798 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/302. Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия / Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стародубцев А. А., Стрыгин В. Д., Арсентьев И. Н.; заявитель и патентообладатель ГОУВПО Воронежская государственная технологическая академия. – № 2006116830/15 ; заявл. 16.05.06 ; опубл. 20.03.08, Бюл. № 8.ru
dc.relation.referencesПат. 2402103 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/316. Способ пассивации поверхности GaAs. / Ерофеев Е. В., Ишуткин С. В., Кагадей В. А., Носаева К. С.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Научно-производственная фирма Микран». – №2009133993/28 ; заявл. 10.09.09 ; опубл. 20.10.10, Бюл. № 29.ru
dc.relation.referencesНисков В. Я. Измерение переходного сопротивления омических контактов к тонким слоям полупроводников / В. Я. Нисков // Приборы и техника эксперимента. – 1971. – № 1. – С. 235 – 237.ru
dc.relation.referencesНисков В. Я. Сопротивление омических контактов к тонким слоям полупроводников / В. Я. Нисков, Г. А. Кубецкий // Физика и техника полупроводников. – 1970. – Т. 4, № 9. – С. 1806 – 1808.ru
dc.date.accessioned2019-12-02T12:55:20Z
dc.date.available2019-12-02T12:55:20Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
517-Текст статті-574-4-10-20171128.pdf
Розмір:
414,75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
10,07 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові праці ВНТУ. 2017. № 3