Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Альтернативна назва
Анотація
Запропоновано структуру комiрки пам’ятi, в якiй як елемент розв’язки, використовується тонкоплiвковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткi на базi аморфного напiвпровiдника (АН), а
як перемикаючий елемент - плiвка халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника. Розроблена фiзична модель комiрки пам’ятi.
Опис
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Кичак В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник НТУУ "КПІ". Серія «Радіотехніка, Радіоапаратобудування». – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84.