<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника

dc.contributor.authorКичак, В. М.uk
dc.contributor.authorСлободян, І. В.uk
dc.contributor.authorВовк, В. Л.uk
dc.titleРадiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдникаuk
dc.date.issued2020
dc.publisherНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»uk
dc.identifier.citationКичак В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник НТУУ "КПІ". Серія «Радіотехніка, Радіоапаратобудування». – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84.uk
dc.relation.ispartofВісник НТУУ "КПІ". Вип. 80 : 79-84.uk
dc.identifier.doi10.20535/RADAP.2020.80.79-84
dc.identifier.udc621.3.04977.001
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/35819
dc.description.abstractЗапропоновано структуру комiрки пам’ятi, в якiй як елемент розв’язки, використовується тонкоплiвковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткi на базi аморфного напiвпровiдника (АН), а як перемикаючий елемент - плiвка халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника. Розроблена фiзична модель комiрки пам’ятi.uk
dc.subjectаморфний напівпровідникuk
dc.subjectхалькогенідні склоподібні напівпровідникиuk
dc.subjectрадіаційна стійкістьuk
dc.subjectкомірка пам’ятіuk
dc.subjectдоза опроміненняuk
dc.subjectплівковий польовий транзисторuk
dc.subjectперехід Шотткіuk
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2022-10-11T12:14:57Z
dc.date.available2022-10-11T12:14:57Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
1626-Article Text-4180-1-10-20200401.pdf
Розмір:
619,17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
10,07 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: