Дослідження приймачів слабоінтенсивних телекомунікаційних сигналів
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
У даній роботі виконується дослідження приймачів слабоінтенсивних телекомунікаційних сигналів, що працюють в терагерцовому діапазоні випромінювання.
In this paper is studied the receivers of low-intensity telecommunication signals operating in the terahertz range of emition.
In this paper is studied the receivers of low-intensity telecommunication signals operating in the terahertz range of emition.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Самолюк І. А. Дослідження приймачів слабоінтенсивних телекомунікаційних сигналів [Електронний ресурс] / І. А. Самолюк ; наук. кер. М. В. Васильківський // Матеріали XLIX науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 27-28 квітня 2020 р. – Електрон. текст. дані. – 2020. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2020/paper/view/9102.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (5)
- В. М. Кичак, І. А. Самолюк, М. В. Васильківський «Квантові приймачі для терагерцового спектру частот» Матеріали конференції «Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах (ВОТТП-2018)», Одеса, 2018 [Електронний ресурс]. Режим доступу: https://biblio.onat.edu.ua/bitstream/handle/123456789/1991/vottp-2018-konf.pdf? Sequence=1&isAllowed=y. Дата звернення: Березень 2020.
- Васильківський М. В., Самолюк І. А. «Дослідження джозефсонівських наносистем на основі ВТНП», Матеріали конференції «XLVIIІ Науково-технічна конференція підрозділів Вінницького національного технічного університету (2019)», Вінниця, 2019
- В. М. Василькіський, І. А. Самолюк «Інфокомунікаційні системи на основі інтелектуальних оптичних мультиплексорів» Матеріали конференції «XLVII Науково-технічна конференція факультету інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем, Вінниця, 2018 [Електронний ресурс]. Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2018/paper/ view/4595. Дата звернення: Березень 2020.
- Shurakov A., Mikhalev P., Mikhailov D. et al. Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer // Microelectron. Eng. 2018. Vol. 195. pp. 26–31.
- Krause S., Mityashkin V., Antipov S. et al. Reduction of phonon escape time for NbN Hot Electron Bolometers by using GaN buffer layers // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2017. Vol. 7, no. 1. pp. 53–59.