Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Influence of spurious capacities fet on level intrinsic noise
Анотація
В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю.
In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
Опис
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Михалевський Д. В. Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів [Текст] / Д. В. Михалевський // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций : 9-та міжнародна науково-технічна конференція, Севастополь, 22-26 квітня 2013 р. – 2013. – С. 391.