Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів
Вантажиться...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Михалевський Д. В. Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів [Текст] / Д. В. Михалевський // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций : 9-та міжнародна науково-технічна конференція, Севастополь, 22-26 квітня 2013 р. – 2013. – С. 391.