Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів

Mykhalevskiy, D. V.

Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів

dc.contributor.author	Mykhalevskiy, D. V.	en
dc.date.accessioned	2017-03-29T08:28:24Z
dc.date.available	2017-03-29T08:28:24Z
dc.date.issued	2013
dc.description.abstract	In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.	en
dc.identifier.citation	Михалевський Д. В. Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів [Текст] / Д. В. Михалевський // Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций : 9-та міжнародна науково-технічна конференція, Севастополь, 22-26 квітня 2013 р. – 2013. – С. 391.	uk
dc.identifier.uri	http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15014
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	Севастопольський національний технічний університет	uk
dc.relation.ispartof	Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций : 9-та міжнародна науково-технічна конференція, Севастополь, 22-26 квітня 2013 р. : 391.	uk
dc.subject	wares of electronic technique	en
dc.subject	low frequency noise	en
dc.subject	noise signals	en
dc.title	Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів	uk
dc.title.alternative	Influence of spurious capacities fet on level intrinsic noise	en
dc.type	Thesis

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: доповыдь2013укр Михалевський.pdf
Розмір:: 462,99 KB
Формат:: Adobe Portable Document Format
Опис:

Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: license.txt
Розмір:: 2,14 KB
Формат:: Item-specific license agreed upon to submission
Опис:

Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІКСТ