Математична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворі

Abstract

Використання двозатворного польового транзистора як первинного перетворювача температури в автогенераторному сенсорі температури з частот ним виходом стимулює дослідження термоіндукованих змін параметрів МДН структур на малому змінному сигналі. Проте як свідчить аналіз літератури на сьогоднішній день недостатньо вивчені фізичні механізми впливу температури на «електронно-діркову» плазму в поверхневому шарі просторового заряду, зідсутній аналітичний опис залежності активної і реактивної складових імпедансу каналу від температури навколишнього середовища. З появою двозатворних МДН структур ці питання набули ще більшої актуальності, оскільки зазначені структури мають широкі функціональні можливості в порівнянні з однозатворними. Розгляду цих питань присвячена дана стаття.