<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Математична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворі

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorПавлик, Б. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.contributor.authorКравчук, Н. С.uk
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.
dc.contributor.authorPavlyk, B. S.
dc.contributor.authorOsadchuk, Ya. O.
dc.contributor.authorKravchuk, N. S.
dc.titleМатематична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворіuk
dc.title.alternativeMathematical model of physical processes in the channel of a MOS transistor under temperature exposure taking into account gate bias voltageen
dc.date.issued2014
dc.publisherSp. zo. o "Nauka i studia"en
dc.identifier.citationМатематична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворі [Текст] / В. С. Осадчук, Б. С. Павлик, Я. О. Осадчук, Н. С. Кравчук // Materialy x mi^dzynarodowej naukowi-praktycznej konferencji "Naukowa mysl informacyjnej powieki - 2014", 07-15 marca 2014 roku. - Przemysl : Nauka і studia, 2014. - Vol. 30 : Techniczne nauki. - S. 37-45.pl
dc.relation.ispartofMaterialy x mi^dzynarodowej naukowi-praktycznej konferencji "Naukowa mysl informacyjnej powieki - 2014", 07-15 marca 2014 r. Vol. 30 : 37-45.pl
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14223
dc.description.abstractВикористання двозатворного польового транзистора як первинного перетворювача температури в автогенераторному сенсорі температури з частот ним виходом стимулює дослідження термоіндукованих змін параметрів МДН структур на малому змінному сигналі. Проте як свідчить аналіз літератури на сьогоднішній день недостатньо вивчені фізичні механізми впливу температури на «електронно-діркову» плазму в поверхневому шарі просторового заряду, зідсутній аналітичний опис залежності активної і реактивної складових імпедансу каналу від температури навколишнього середовища. З появою двозатворних МДН структур ці питання набули ще більшої актуальності, оскільки зазначені структури мають широкі функціональні можливості в порівнянні з однозатворними. Розгляду цих питань присвячена дана стаття.uk
dc.subjectмдн-транзисторuk
dc.subjectтермореактивний ефектuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectвимірюванняuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectматематична модельuk
dc.subjectMIS transistoren
dc.subjectthermoreactive effecten
dc.subjectnegative resistanceen
dc.subjectmeasurementen
dc.subjectsensitivityen
dc.subjectmathematical modelen
dc.typeThesis
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2017-02-19T13:11:30Z
dc.date.available2017-02-19T13:11:30Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
стаття_32.pdf
Розмір:
382,82 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Теза
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС