Дослідження властивостей n-p-n транзистору в схемі спільний емітер
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
Проведено дослідження властивостей транзистора N-P-N структури на прикладі КТ817Б.
The properties of the N-P-N structure transistor are studied on the example of KT817B. Input and output characteristics were obtained, current transmission coefficients and voltage amplification were analyzed.
The properties of the N-P-N structure transistor are studied on the example of KT817B. Input and output characteristics were obtained, current transmission coefficients and voltage amplification were analyzed.
Опис
Ключові слова
біполярний , транзистор , статичні , властивості , N-P-N , bipolar , transistor , static , properties
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Іванна Петрівна Бриндак; <p align="JUSTIFY"><span style="font-size: small;"><span style="color: #000000;"><span><span style="font-family: 'Times New Roman', serif Дослідження властивостей n-p-n транзистору в схемі спільний емітер [Електронний ресурс] / Іванна Петрівна Бриндак; <p align="JUSTIFY"><span style="font-size: small;"><span style="color: #000000;"><span><span style="font-family: 'Times New Roman', serif, Володимир Сергійович Бєлов; <p align="JUSTIFY"><span style="font-size: small;"><span style="color: #000000;"><span><span style="font-family: 'Times New Roman', serif // Тези доповідей Всеукраїнської науково-практичної Інтернет-конференції студентів, аспірантів та молодих науковців «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи» (МН-2019), м. Вінниця, 11-30 травня 2019 р. – Електрон. текст. дані. – 2019. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2019/paper/view/6184.