Двотактний симетричний підсилювач струму

Abstract

Двотактний симетричний підсилювач струму містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять біполярних n-p-n та шістнадцять біполярних p-n-p транзисторів. Додатково введено тридцять третій n-p-n та тридцять четвертий p-n-p біполярні транзистори, колектори тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно.

Двухтактный симметрический усилитель тока содержит источник тока, резистор обратной связи, корректирующий конденсатор, шины положительного и отрицательного питания, входную и выходную шины, шину нулевого потенциала, шестнадцать биполярных n-p-n и шестнадцать биполярных p-n-p транзисторов. Дополнительно введены тридцать третий n-p-n и тридцать четвертый p-n-p биполярный транзисторы, коллекторы тридцать первого p-n-p и тридцать второго n-p-n биполярных транзисторов соединены с коллекторами тридцать третьего n-p-n и тридцать четвертого p-n-p биполярных транзисторов соответственно, эмиттеры тридцать третьего n-p-n и тридцать четвертого p-n-p биполярных транзисторов объединены, эмиттеры двадцатого n-p-n и двадцатого p-n-p биполярных транзисторов соединены с базами тридцать третьего n-p-n и тридцать четвертого p-n-p биполярных транзисторов соответственно.

A push-pull symmetric current amplifier comprises a current source, feedback resistor, balancing capacitor, positive and negative buses, input and output buses, zero potential bus, sixteen bipolar n-p-n transistors, sixteen bipolar p-n-p transistors. In addition, it is brought thirty third n-p-n and thirty fourth p-n-p bipolar transistors correspondingly, collectors of thirty first p-n-p and thirty second n-p-n bipolar transistors are connected with collectors of thirty third n-p-n and thirty fourth p-n-p bipolar transistor correspondingly, emitters of thirty third n-p-n and thirty fourth p-n-p bipolar transistors are united emitters twentieth n-p-n and twentieth p-n-p bipolar transistors are connected with bases of thirty third n-p-n and thirty fourth p-n-p bipolar transistors correspondingly.