<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСлободян, І. В.uk
dc.contributor.authorБоржемський, С. Ю.uk
dc.titleАналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази Ruk
dc.date.issued2019
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationСлободян, І. В. Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R [Електронний ресурс] / І. В. Слободян, С. Ю. Боржемський // Матеріали XLVIII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 13-15 березня 2019 р. – Електрон. текст. дані. – 2019. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2019/paper/view/6656.uk
dc.relation.ispartofМатеріали XLVIII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 13-15 березня 2019 р.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2019/paper/view/6656
dc.identifier.udc621.397
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/26931
dc.description.abstractУ даній роботі наведено нові дані часового коливання параметрів комірок пам’яті таких, як порогова напруга Un та опір аморфної фази R. Отримані результати доповнюють інформацію про відхилення робочих параметрів пам’яті РСМ. Показано залежність порогової напруги Un і опору аморфної фази R від часу t.uk
dc.description.abstractIn this paper, new data is given on the time variation of memory cell parameters such as threshold voltage Un and resistance of amorphous phase R. These results supplemente the information on the deviation of the working parameters of the memory of the PCM. The dependence of the threshold voltage Un and resistance of the amorphous phase R on time t is shown.en
dc.subjectкомірка пам’ятіuk
dc.subjectхалькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН)uk
dc.subjectзалежність параметрівuk
dc.subjectmemory cellen
dc.subjectchalcogenide glassy semiconductor (CGS)en
dc.subjectdependence of parametersen
dc.typeThesis
dc.language.isoukuk
dc.relation.references D. A. Baker, M. A. Paesler, G. Lucovsky, S. C. Agarwal, and P. C. Taylor. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys. / W. Wenic, A. Pamungkas, R. Detemple, C. Steimer, S. Blugel, and M. Wuttig, Nat. Mater. 5 // Phys. Rev. Lett. 96, p.56, 2006.en
dc.relation.referencesS. R. Ovshinsky, Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures. // Phys. Rev. Lett. 21, p.1450, 1968.en
dc.relation.references V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Nucleation switching in phase change memory  // Appl. Phys. Lett. 90, p.504, 2007.en
dc.date.accessioned2019-12-04T21:38:04Z
dc.date.available2019-12-04T21:38:04Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
6656.pdf
Розмір:
711,21 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
17 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2019)