Мікроелектронні частотні перетворювачі вологості

Abstract

Розроблено мікроелектронні частотні перетворювачі вологості з ємнісними елементами, виготовленими на основі вологочутливих пористих шарів. Теоретично та експериментально доведено, що схемотехнічні рішення та фізико-хімічні властивості вологочутливого шару ємнісного елемента суттєво впливають на чутливість перетворювача вологості та діапазон її вимірювання. Встановлено, що найчутливішим є перетворювач з ємнісним елементом, виготовленим на основі аморфного кремнію.

Microelectronic frequency humidity transducers with capacitive element made on the basis of moisture-sensitive porous lay-ers, have been developed. It has been theoretically and experimentally proved the circuit designs and physical and chemical prop-erties of the moisture sensitive layer of the capacitive element significantly affect the sensitivity of the humidity transducer and the range of its measurement. It was found that the most sensitive is a transducer with a capacitive element made on the basis of amorphous silicon.