Чисельне моделювання процесу термічної деградації діелектриків у сильних електричних полях методом Монте-Карло

Abstract

Досліджено кінетику накопичення мікроскопічних пошкоджень у твердих діелектричних шарах під впливом інтенсивних електричних полів. На основі статистичного моделювання методом Монте-Карло відтворено динаміку зародження та розростання локальних дефектів, що призводять до формування провідних каналів (філаментів). Визначено характер залежності часу безвідмовної роботи мікроелектронних компонентів від напруженості прикладеного поля та температурних флуктуацій.

The kinetics of microscopic damage accumulation in solid dielectric layers under the influence of intense electric fields has been investigated. Based on statistical simulation using the Monte Carlo method, the dynamics of nucleation and growth of local defects leading to the formation of conductive channels (filaments) are reproduced. The dependence of the lifetime of microelectronic components on the applied field strength and temperature fluctuations has been determined.