Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах

Осадчук, О. В.; Осадчук, Я. О.

Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах

dc.contributor.author	Осадчук, О. В.	uk
dc.contributor.author	Осадчук, Я. О.	uk
dc.title	Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах	uk
dc.date.issued	2013
dc.publisher	Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління	uk
dc.identifier.citation	Осадчук О. В. Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О.Осадчук // Науковий вісник КУЕІТУ "Нові технології". - 2013. - № 3-4. - С. 64-72.	uk
dc.identifier.udc	621.382
dc.identifier.uri	http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8403
dc.description.abstract	The paper presents a mathematical model of deformation effects in MOS transistor that is used as an element in tenzosensitive of pressure transducer with a frequency output . On the basis of a mathematical model designed dependence of the threshold voltage, saturation voltage, gate-source voltage of the pressure action. Most dependence of these parameters on the pressure observed at work MOS transistor in saturation at high pressures greater than 108 Pa.	en
dc.subject	від'ємний опір	uk
dc.subject	транзисторна структура з від'ємним опором	uk
dc.subject	тиск	uk
dc.subject	вага	uk
dc.subject	частотний вимірювальний перетворювач	uk
dc.subject	deformation effect	en
dc.subject	frequency sensator	en
dc.subject	tensor sensible element	en
dc.type	Article
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.date.accessioned	2016-02-18T12:20:41Z
dc.date.available	2016-02-18T12:20:41Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: NewTech_2013_3-4_12.pdf
Розмір:: 136,89 KB
Формат:: Adobe Portable Document Format
Опис:: Стаття

Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Назва:: license.txt
Розмір:: 2,14 KB
Формат:: Item-specific license agreed upon to submission
Опис:

Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС