<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorНікешин, Юрій Ігоровичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Александр Владимировичru
dc.contributor.authorНикешин, Юрий Игоревичru
dc.contributor.authorOsadchuk, Oleksandr Volodymyrovychen
dc.contributor.authorNikeshyn, Yurii Ihorovychen
dc.titleМікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опоруuk
dc.title.alternativeМикроэлектронное четырех-зондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивленияru
dc.title.alternativeMicroelectronic four-probe device for measurement of semiconductor resistanceen
dc.date.issued2012-01-25
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.identifier.citationПат. 66947, МПК H01L 21/66, G01R 31/26. Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору [Текст] / О. В. Осадчук, Ю. І. Нікешин (Україна). - № u201108127 ; заявл. 29.06.2011 ; опубл. 25.01.2012, Бюл. № 2. - 2 с. : кресл.uk
dc.identifier66947
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/617
dc.description.abstractМікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення. В нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор та польовий транзистор.uk
dc.description.abstractМикроэлектронное четырехзондовое устройство для измерения полупроводникового сопротивления содержит катушку индуктивности и емкость, которая подключена к источнику питания. В него введены четыре зонда, второй источник питания, два резистора, биполярный транзистор и полевой транзистор.ru
dc.description.abstractA microelectronic four-probe device for measurement of semiconductor resistance comprises an inductance coil and a capacitor connected to a power source. Four probes, a second power source, two resistors, a bipolar transistor and a field-effect transistor are incorporated.en
dc.subjectH01L 21/66
dc.subjectG01R 31/26
dc.subjectвимірювальна технікаuk
dc.subjectелектрофізичні параметри матеріалівuk
dc.subjectмікроелектронний пристрійuk
dc.subjectвимірювання напівпровідникового опоруuk
dc.typeOther
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2015-04-28T08:05:25Z
dc.date.available2015-04-28T08:05:25Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
66947.pdf
Розмір:
131,33 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1,71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: