Напівпровідниковий датчик вологості

Abstract

Конструкція пристрою виконана у вигляді напівпровідникового датчика вологості, який має два чутливих до вологи польових транзистора, перше джерело постійної напруги живлення. В пристрої введена пасивна індуктивність, друге джерело постійної напруги живлення, резистор і конденсатор, причому затвор першого польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності.

Конструкция устройства выполнена в виде полупроводникового датчика влажности, который имеет два чувствительных к влаге полевых транзистора, первый источник постоянного напряжения питания. В устройство введена пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения питания, резистор и конденсатор, причем затвор первого полевого транзистора через ограничительный резистор соединен с первым полюсом первого источника напряжения, второй полюс первого источника напряжения соединен со стоком второго полевого транзистора, истоки первого и второго полевых транзисторов соединены между собой, а затвор второго полевого транзистора соединен со стоком первого полевого транзистора, к которому подключена первая выходная клемма и первый вывод пассивной индуктивности.

Design of device is as semiconductor humidity indicator that has two sensitive to moisture field transistors, first source of direct power supply voltage. To device passive inductivity is included, second source of direct power supply voltage, resistor and capacitor, at that gate of first voltage source is connected to sink of second field transistor, sources of the first and the second field transistors are connected to each other, and gate of the second field transistor is connected to sink of first field transistor to which first output terminal is connected, and first output of passive inductivity.