Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
In this paper the problems of creating nonvolatile digital storage
devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural
scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered.
Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. The
three-dimensional matrix is recommended for real use.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Слободян І. В. Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн [Текст] / І. В. Слободян // Міжнародна науково-технічна конференція "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)», Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. – 2017. – С. 81–83.