Організація та структура матриць пам’яті на базі хсн

Abstract

Розглянуто проблеми створення енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. Вказані недоліки та переваги кожного виду матриці. Тривимірну матрицю рекомендовано для реального застосування.

In this paper the problems of creating nonvolatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered. Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. The three-dimensional matrix is recommended for real use.