Організація та структура матриць пам’яті на базі ХСН

Abstract

Розглянуто проблеми створення енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано структурні схеми двовимірної та тривимірної матриці пам’яті. Вказані недоліки та переваги кожного виду матриці. Описано режим роботи тривимірної матриці, яку рекомендовано до застосування у реальних пристроях.

In this paper the problems of creating nonvolatile digital storage devices based on chalcogenide vitreous semiconductor are discussed. A structural scheme of two-dimensional and three-dimensional matrix of memory are offered. Advantages and disadvantages of each type of matrix are considered also. We describe three-dimensional matrix mode, which is recommended for use in real devices.