Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють
стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ.
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Лебедь О. М. Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази [Електронний ресурс] / О. М. Лебедь // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2013. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365.