Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази
| dc.contributor.author | Лебедь, О. М. | uk |
| dc.title | Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази | uk |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.publisher | Вінницький національний технічний університет | uk |
| dc.identifier.citation | Лебедь О. М. Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів gaas під час вирощування з рідкої фази [Електронний ресурс] / О. М. Лебедь // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2013. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365. | uk |
| dc.relation.uri | http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365 | |
| dc.identifier.issn | 2307-5376 | |
| dc.identifier.udc | 539.23:532.78 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4753 | |
| dc.description.abstract | Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ. | uk |
| dc.subject | арсенід галію | uk |
| dc.subject | епітаксійний шар | uk |
| dc.subject | вісмут | uk |
| dc.subject | дислокації | uk |
| dc.subject | фронт кристалізації | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T11:53:28Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T11:53:28Z |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1