<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Методи та засоби вимірювання напівпровідникового опору на основі перетворювачів з частотним виходом

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorНікешин, Ю. І.uk
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.
dc.contributor.authorNikeshyn, Yu. I.
dc.titleМетоди та засоби вимірювання напівпровідникового опору на основі перетворювачів з частотним виходомuk
dc.title.alternativeMethods and means of measuring semiconductor resistance based on transducers with frequency outputen
dc.date.issued2014
dc.publisherSp. zo. o "Nauka i studia"en
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Методи та засоби вимірювання напівпровідникового опору на основі перетворювачів з частотним виходом [Текст] / О. В. Осадчук, Ю. І. Нікешин // Materialy x mi^dzynarodowej naukowi-praktycznej konferencji "Strategiczne pytania swiatowej nauki - 2014", 07-15 lutego 2014 roku. - Przemysl : Nauka і studia, 2014. - Vol. 35 : Techniczne nauki. - S. 47-54.pl
dc.relation.ispartofMaterialy x mi^dzynarodowej naukowi-praktycznej konferencji "Strategiczne pytania swiatowej nauki - 2014", 07-15 lutego 2014 r. Vol. 35 : 47-54.pl
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14224
dc.description.abstractНа сьогоднішній день існує велика потреба в застосуванні вимірювання питомого опору на напівпровідникових зразках (виготовлення мікропроцесорів, мікроконтролерів, схем пам'яті та ін.). Існує багато засобів, методів та приладів для вимірювання напівпровідникового опору. Багато методів вимірювання питомого електричного опору матеріалів засновані на вимірюванні різних електричних потенціалів на деяких зразках, через які проходить електричний струм. Ми розглянемо найбільш актуальні на теперішній момент можливості вимірювання питомого опору на напівпровідникових зразках.uk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectвимірюванняuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectчастотаuk
dc.subjectчастотний перетворювачuk
dc.subjectnegative resistanceen
dc.subjectmeasurementen
dc.subjecttransistor structure with negative resistanceen
dc.subjectsensitivityen
dc.subjectfrequencyen
dc.subjectfrequency transduceren
dc.typeThesis
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2017-02-19T13:20:03Z
dc.date.available2017-02-19T13:20:03Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
стаття_31.pdf
Розмір:
404,32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Теза
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС