<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу

dc.contributor.authorЛіщинська, Л. Б.uk
dc.contributor.authorБарабан, М. В.uk
dc.contributor.authorФілинюк, М. А.uk
dc.contributor.authorLischynska, Liudmyla Bronislavivnaen
dc.contributor.authorBaraban, Mariia Volodymyrivnaen
dc.contributor.authorFilyniuk, Mykola Antonovychen
dc.titleПорівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансуuk
dc.title.alternativeThe comparative assessment of transformation errors of one-chip immittance convertersen
dc.title.alternativeСравнительная оценка погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитансаru
dc.date.issued2010
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationЛіщинська Л. Б. Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу [Текст] / Л. Б. Ліщинська, М. В. Барабан, М. А. Філинюк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2010. - № 6. - С. 87-92.uk
dc.relation.urihttp://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/1622
dc.identifier.issn1997-9274
dc.identifier.issn1997-9266
dc.identifier.udc621.325
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/6171
dc.description.abstractРозроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та польового транзисторів й розроблено рекомендації з їх зменшення.uk
dc.description.abstractРазработана теория оценки погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитанса, проведена сравнительная оценка погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитанса на базе однопереходного, биполярного, полевого транзисторов и разработаны рекомендации по их уменьшению.ru
dc.description.abstractThe theory of estimation of transformation errors of one-chip immittance converters is developed. The comparative assessment of transformation errors of one-chip immittance converters is conducted on the base of unijunction, bipolar and field-effect transistors, suggestions for their reduction are given.en
dc.subjectоднокристальний конвертор іммітансуuk
dc.subjectузагальнений перетворювач іммітансуuk
dc.subjectкоефіцієнт конверсіїuk
dc.subjectпохибка перетворення іммітансуuk
dc.subjectone-chip immittance converteren
dc.subjectgeneralized transformer of immittanceen
dc.subjectcoefficient of conversionen
dc.subjecttransformation errors of immittanceen
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2016-01-26T15:13:43Z
dc.date.available2016-01-26T15:13:43Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
1622.pdf
Розмір:
347,04 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
132 B
Формат:
Plain Text
Опис: