The prospects of using of inse type magnetoresistive semiconductor materials aimed at the creation of magnetic field sensors
Анотації
Об‘єктом даного дослідження є магніторезистивні структури на осно- ві шаруватих напівпровідників InSe, інтеркальовані нікелем, призначені для виявлення важкої бронетехніки. Досліджений імпеданс даних структур при температурах від рідкого азоту до кімнатної
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/22275