Мікроелектронний частотний сенсор оптичного випромінювання
| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Семенов, А. О. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-01-24T20:47:56Z | |
| dc.date.available | 2017-01-24T20:47:56Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук В. С. Мікроелектронний частотний сенсор оптичного випромінювання [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, А. О. Семенов // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2005. – № 1. - С. 208-214. | uk |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13710 | |
| dc.description.abstract | У даній роботі представлені дослідження мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання на основі біполярного транзистора та польового транзистора з бар’єром Шотткі з чутливим елементом на основі фоторезистора. Отримані аналітичні залеж-ності функції перетворення і рівняння чутливості. Теоретичні і експериментальні дослідження показали, що чутливість розробленого мікроелектронного частотного сенсора оптичного ви-промінювання складає 228 кГц/мкВт/см2. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | частотний перетворювач | uk |
| dc.subject | від'ємний опір | uk |
| dc.subject | вимірювання | uk |
| dc.subject | транзисторна структура з відємним опором | uk |
| dc.subject | частота | uk |
| dc.title | Мікроелектронний частотний сенсор оптичного випромінювання | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.317 |
Файли в цьому документі
Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)
-
Наукові роботи каф. ІРТС [778]
статті, матеріали конференцій