Напівпровідниковий гігрометричний сенсор

Abstract

Напівпровідниковий гігрометричний сенсор містить два польових транзистори, витоки яких з'єднано між собою, на затворі одного з яких створено гребінчасту структуру вологочутливого матеріалу, джерело постійної напруги. Перший і другий польові транзистори є двозатворними, другий транзистор також є вологочутливим. Введено перший, другий, третій і четвертий резистори, ємність й індуктивність.Полупроводниковый гигрометрический сенсор содержит два полевых транзистора, истоки которых соединены между собой, на затворе одного из которых создана гребенчатая структура влагочувствительного материала, источник постоянного напряжения. Первый и второй полевые транзисторы являются двухзатворными, второй транзистор также влагочувствительный. Введены первый, второй, третий и четвертый резисторы, емкость и индуктивность.Semiconductor hydrometer sensor has two field transistors sinks of which are connected to each other, on gate of one of those comb structure of moisture-sensitive material is formed, source of direct voltage. First and second field transistors are two-gate ones, second transistor is moisture-sensitive as well. First, second, third and fourth resistors are included, capacitor and inductivity.