Mathematical model of transistor equivalent of electrical controlled capacity

Abstract

У роботі складено математичну модель транзисторного еквівалента електрично керованої ємності на основі двох біполярних транзисторів. Подано зв'язки активної та реактивної складових повного опору зі зміною температури.This work the mathematical model of transistor equivalent of electrical controlled capacity based on two bipolar transistors are made. Associations of active and reactive component complete resistance with changeable temperature.