Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах

Автор
Осадчук, О. В.
Дата
2001
Metadata
Показати повний опис матеріалу
Collections
Короткий опис(реферат)
Фотореактивні властивості напівпровідникових приладів знайшли широке використан- ня в різноманітних пристроях радіоелектроніки [1,2], тому дослідження цих явищ в біпо лярних транзисторних структурах разом з використанням їх від’ємного опору дозволяє створити нові сенсорні прилади, які мають кращі параметри ніж існуючі [3-5].
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14853
Переглянути